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日本制成光電轉換率更高的非硅系太陽能電池

點擊數：659 發布時間：2008-07-20 19:16:35
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　　日本產業技術綜合研究所１６日宣布，該研究所和一家企業合作開發出一種新技術，可將使用銅銦鎵硒（ＣＩＧＳ）薄膜的非硅系、可彎曲太陽能電池的光電轉換效率，由１７．５％提高到１７．７％。

　　產業技術綜合研究所１６日發布的新聞公報說，采用銅、銦、鎵、硒制成的半導體材料——ＣＩＧＳ薄膜生產的太陽能電池具備不易老化，耐放射線等優點。同時，這種太陽能電池的光電轉換層的厚度可以做成僅幾微米，質量小，原料消耗少。

　　提高這種太陽能電池的光電轉換效率有幾個必要的技術性問題，其中之一就是向ＣＩＧＳ薄膜的光吸收層添加堿性物質，但是很多堿性化合物具有潮解性，物理性質不穩定，處理比較困難。

　　產業技術綜合研究所此次開發的新技術在太陽能電池的內側電極層形成之前，先使穩定的化合物——硅酸鹽玻璃在基板上形成薄層，通過控制這一薄層形成的條件，來控制透過內側電極層到達其上方的光吸收層的堿性物質數量。使用表面平滑的陶瓷為基板，再加上新技術，該研究所成功使小面積可彎曲的這種太陽能電池的光電轉換效率提高到１７．７％。

　　公報說，該研究所下一步的研究目標是將這種提高光電轉換效率的技術，應用于相當于實用尺寸的太陽能電池模塊中。

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